HDD的每TB带宽一直在下降。这迫使数据中心工程师通过将热(频繁访问的)数据转移到TLC闪存层或过度配置存储来满足其存储性能需求。
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下一代非易失性内存 : MRAM
所涵盖的非易失性内存技术包括各种类型的电阻式随机存取存储器(ReRAM)、磁性随机存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)和相变存储器(PCM)
继续阅读Google AI TPU
所涵盖的非易失性内存技术包括各种类型的电阻式随机存取存储器(ReRAM)、磁性随机存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)和相变存储器(PCM)
继续阅读如今,到了2023年,我们可以看到这一预测在低温电子显微镜(cryo-EM)、低温电子断层扫描显微镜(cryo-ET)、扫描电子显微镜(SEM)以及透射电子显微镜(TEM)领域已经成为现实。
继续阅读在生成式AI(GenAI)领域存在一个鲜为人知的问题,它可能会阻碍许多用户实现其目标:其IO模式可能会对传统存储系统造成巨大压力。
继续阅读CXL 3.0允许每个主机支持多达16个加速器,使其成为用于GPU的标准一致性互连。它还增加了点对点(P2P)通信、多级交换和最多4,096个节点的结构。
继续阅读InfiniBand 也用作服务器与存储系统之间的直接或交换互连,以及存储系统之间的互连。
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继续阅读CXL作为一种高速互连技术,实现了处理器、内存设备和加速器之间的高效通信。
继续阅读内存解耦被视为解决数据中心内存低效利用问题的强大替代方案。
继续阅读第一批PCIe 5.0 SSD最大问题就是群联E26为代表的主控功耗和发热量过高,直接导致不得不加装主动风扇,而且限制了性能。
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