今天，我们来看一看Intel 670p 2TB PCIe 3.0 NVMe SSD，Intel（英特尔）已经给我们发送了一片2TB的M.2盘进行评测，并承诺和Intel上一代产品660p相比有显著的性能提升，我们从未评测过660p，但我们确实评测过Intel的665p 1TB的盘，在本次评测过程中，我们将和其做比较。新的670p仍然是PCIe 3.0的盘，基于Silicon Motion SM2265G的控制器进行设计，DRAM缓存，采用了Intel的144层QLC NAND的设计。
Intel 670p 2TB M.2 NVMe SSD
Intel 670p 2TB采用了单面的M.2 2280（80mm）的外形尺寸，和上一代产品非常相似。单面的设计比较容易散热，因此这一点整体上我认为是积极的一面。
盘正面的标签下面是所有主要的元器件，两个144层的Intel QLC NAND芯片，一个DRAM芯片，还有SM2265G NVMe控制器。SM2265G并没有出现在Silicon Motion的网站上，因此我们对其具体规格了解得并不多，而且Intel已通知我们，在该控制器的固件中也有一些秘密技术。
作为单面的盘，背面就显得非常贫瘠了，基本没有什么元器件。作为消费级的产品，该盘没有掉电保护（PLP: Power Loss Protection）。但对于某些服务器的工作负载来说，掉电保护（PLP）是至关重要的。
Intel 670p 规格
基于TLC的Intel 665p系列SSD提供了512GB，1TB和2TB三种容量。
提供给我们的2TB的盘是产品中最高端的，到目前为止，没有任何的产品资料披露最大容量的盘和小容量的盘在性能方面的任何差异。通常，较小容量的盘具有稍差的性能，但是现在我们还不知道。
有趣的一点是，英特尔将2TB定义为用户可访问的2048 GB空间，而我个人接触过的其他2TB SSD，用户可访问的空间都只是2000 GB。这是一个很小的差异，但值得我们关注。
与我们之前评测过的1TB 665p相比较，670p具有3500 MB/s的读取速度以及2700 MB/s的写入速度，这种规格代表了性能上的大幅提高。在该盘随附的产品材料中，Intel（英特尔）声称，与660p相比，顺序读取速度增加了82%，顺序写入速度增加了39%，随机读取速度增加了23%，随机写入速度增加了14%。
正如Intel（英特尔）很乐意地在其产品资料中指出的一样，性能提高部分是来自新NVMe盘更好的静态和动态SLC缓存行为。这是重大的代比代的改进，我们期待看到新盘在实际使用中的表现。
关于耐受性（endurance），2TB的盘具有740TBW的写入耐受性，而1TB的盘具有370TBW的写入耐受性。1TB 665p具有300TBW的写入耐受性，所以与最近评测的Sabrent Rocket Q4盘相比，Intel增加了这一代产品的耐受性，而不是降低了耐受性。
使用CrystalDiskInfo工具，我们可以看到有关SSD的一些基本信息，并确认了我们使用的盘是NVMe 1.4的，运行在PCIe 3.0 x4的速度。
测试系统的配置
我们使用了下述配置的系统进行了测试：
- Motherboard: ASUS PRIME X570-P
- CPU: AMD Ryzen 9 3900X (12C/24T)
- RAM: 2x 16GB DDR4-3200 UDIMMs
我们的测试使用了Intel 670p 2TB NVMe盘作为系统启动盘，该盘安装在主板上的M.2_1的插槽上。我们用数据填充该盘到85%的容量，然后删除部分数据，
让该卷的已用空间达到约60%。
