本篇文章发表于顶级会议 FAST 2023,由无锡国家超级计算中心、清华大学、山东大学、中国工程院的学者为我们分享了他们在尖端超级计算机和高性能计算领域的最新的成果,提出了一种名为 HadaFS 的新型 Burst Buffer 文件系统,实现了可扩展性和性能的优势与数据共享和部署成本的优势的良好结合。
继续阅读分类: 存储
什么是 MRDIMM
MRDIMM是一种新型内存技术正在席卷整个行业,并带来了显著的性能提升。
继续阅读第三种内存芯片要来了
今年带来了多种创新的计算机组件,包括一种新型数据存储,可承受极端高温,以及一种注入 DNA 的计算机芯片,并在“通用内存”的开发中取得了最大的进展。这是一种将显著提高计算速度并降低能耗的组件。
继续阅读MVTRF:多视图特征预测SSD故障
为了提前预测和处理SSD故障,本文提出了一种多视角多任务随机森林( MVTRF )方案。MVTRF基于从SSD的长期和短期监测数据中提取的多视图特征预测SSD故障。
继续阅读HBM4正在加快发布进程
供应商和JEDEC正在推进HBM4计划,因为他们怀疑新一代AI热潮意味着即将推出的英伟达GPU将更快地需要它。
继续阅读美光科技:增加2个晶圆厂,扩产HBM
美光科技在2022年就宣布了在美国建造两个新晶圆工厂的计划,但当时并未明确指出具体的投产时间,仅表示将在十年内实现,随后的2023年,该公司通过一系列支出策略调整加快了这些工厂的建设进程。
继续阅读通过 CXL 实现 MRAM 的数据持久性
FLIT-MRAM通过利用日益普及的CXL基础设施,重新构思了DRAM解决方案的架构。将DRAM DDRx物理接口替换为CXL接口,使内存事务能够通过CXL的64字节FLIT有效负载与处理器的64字节缓存行匹配。
继续阅读Samsung PM9E1 全球最快的SSD量产了
三星电子官方宣布,已经开始批量生产PM9E1,行业性能最快的PCIe 5.0 SSD,同时有着超大容量。
PM9E1采用了三星电子自研的5nm工艺主控方案,搭配第八代V-NAND闪存,容量可选512GB、1TB、2TB、4TB。
继续阅读CXL协议作为连接内存的方式得到广泛采用
Compute Express Link建立在 PCI Express 基础上,几乎所有主要芯片公司都支持该技术。它用于通过串行通信连接 CPU、GPU、FPGA 和其他专用加速器,但它还允许跨设备池化内存,以提高资源利用率和高效利用率。
继续阅读美光宣布G9 NAND闪存量产,276层
美光科技宣布其第九代(G9)TLC NAND SSD开始量产,这是该行业的一个重要里程碑。G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度,为数据读取和写入提供了出色的带宽。
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