三星电子官方宣布，已经开始批量生产PM9E1，行业性能最快的PCIe 5.0 SSD，同时有着超大容量。
PM9E1采用了三星电子自研的5nm工艺主控方案，搭配第八代V-NAND闪存，容量可选512GB、1TB、2TB、4TB。
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分类： 存储
CXL协议作为连接内存的方式得到广泛采用
Compute Express Link建立在 PCI Express 基础上，几乎所有主要芯片公司都支持该技术。它用于通过串行通信连接 CPU、GPU、FPGA 和其他专用加速器，但它还允许跨设备池化内存，以提高资源利用率和高效利用率。
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美光宣布G9 NAND闪存量产，276层
美光科技宣布其第九代（G9）TLC NAND SSD开始量产，这是该行业的一个重要里程碑。G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度，为数据读取和写入提供了出色的带宽。
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各种内存DIMM简介
相对于DIMM来说，SO-DIMM具有更小的外形尺寸（大致是正常DIMM尺寸的一半）。因此，SO-DIMM主要用于笔记本电脑等一些对尺寸有较高要求的使用场合。
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Samsung推出12层36GB HBM3e DRAM
2024年，三星宣布开发出了目前最先进的高带宽内存(HBM)的12层版本，即HBM3e。
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DDR5 vs DDR4 DRAM – 优势和设计挑战
DDR5 内存带来了许多关键的性能提升，以及新的设计挑战。计算系统架构师、设计人员和购买人员都想知道 DDR5 与 DDR4 有什么新功能，以及他们如何充分利用新一代内存。
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消除SSD网络文件系统性能瓶颈
在数据计算和数据存储领域，追求速度早已不是新鲜事。随着数据量的指数级增长，对性能的需求不仅在增加，还在不断加速。确保企业内部数据更易访问和可用，已成为支撑现代应用程序和工作流程的重要业务需求。
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Hyperscale NAS技术概述
本文将重点关注人工智能工作负载转变所带来的影响，并探讨Hyperscale NAS解决方案如何使企业现有的数据存储环境能够满足极度数据密集型工作负载所需的性能要求。
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2027年市场展望：数据中心和存储增长持续强劲
2022年到2027年，服务器和存储市场将以7.4%的复合年增长率增长，总额达到2209亿美元。
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新一轮的HDD密度迭代
预计在2022年到2026年之间，数据规模将呈现翻倍增长的趋势
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