供应商和JEDEC正在推进HBM4计划，因为他们怀疑新一代AI热潮意味着即将推出的英伟达GPU将更快地需要它。
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分类： 存储
美光科技：增加2个晶圆厂，扩产HBM
美光科技在2022年就宣布了在美国建造两个新晶圆工厂的计划，但当时并未明确指出具体的投产时间，仅表示将在十年内实现，随后的2023年，该公司通过一系列支出策略调整加快了这些工厂的建设进程。
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通过 CXL 实现 MRAM 的数据持久性
FLIT-MRAM通过利用日益普及的CXL基础设施，重新构思了DRAM解决方案的架构。将DRAM DDRx物理接口替换为CXL接口，使内存事务能够通过CXL的64字节FLIT有效负载与处理器的64字节缓存行匹配。
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Samsung PM9E1 全球最快的SSD量产了
三星电子官方宣布，已经开始批量生产PM9E1，行业性能最快的PCIe 5.0 SSD，同时有着超大容量。
PM9E1采用了三星电子自研的5nm工艺主控方案，搭配第八代V-NAND闪存，容量可选512GB、1TB、2TB、4TB。
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CXL协议作为连接内存的方式得到广泛采用
Compute Express Link建立在 PCI Express 基础上，几乎所有主要芯片公司都支持该技术。它用于通过串行通信连接 CPU、GPU、FPGA 和其他专用加速器，但它还允许跨设备池化内存，以提高资源利用率和高效利用率。
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美光宣布G9 NAND闪存量产，276层
美光科技宣布其第九代（G9）TLC NAND SSD开始量产，这是该行业的一个重要里程碑。G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度，为数据读取和写入提供了出色的带宽。
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各种内存DIMM简介
相对于DIMM来说，SO-DIMM具有更小的外形尺寸（大致是正常DIMM尺寸的一半）。因此，SO-DIMM主要用于笔记本电脑等一些对尺寸有较高要求的使用场合。
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Samsung推出12层36GB HBM3e DRAM
2024年，三星宣布开发出了目前最先进的高带宽内存(HBM)的12层版本，即HBM3e。
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DDR5 vs DDR4 DRAM – 优势和设计挑战
DDR5 内存带来了许多关键的性能提升，以及新的设计挑战。计算系统架构师、设计人员和购买人员都想知道 DDR5 与 DDR4 有什么新功能，以及他们如何充分利用新一代内存。
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消除SSD网络文件系统性能瓶颈
在数据计算和数据存储领域，追求速度早已不是新鲜事。随着数据量的指数级增长，对性能的需求不仅在增加，还在不断加速。确保企业内部数据更易访问和可用，已成为支撑现代应用程序和工作流程的重要业务需求。
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